核心功能 去除表面污染物：通过化学腐蚀、超声波空化、流体冲刷等技术，去除SiC表面的颗粒、金属污染、有机物及氧化层，确保材料表面洁净度与微观平整度。 支持多种清洗工艺：支持光刻环节的显影/去胶、刻蚀后处理、终极清洗等关键工艺节点，满足不同生产环节的需求。 兼容多种规格：适用于不同尺寸的SiC衬底片和外延片，如4寸、6寸、8寸、12寸等，满足不同规模生产线的需求。 二、技术特点 化学腐蚀控制： 采用氢氟酸（HF）、硝酸（HNO₃）或混合酸液体系，针对SiC的化学惰性设计缓蚀剂配方，实现可控腐蚀速率（如0.1~1μm/min），避免过蚀或损伤晶体结构。 配备自动配比系统，实时监控pH值、温度（±0.5℃）及电导率，确保腐蚀均匀性。 超声波与兆声波技术： 集成超声波技术，通过高频振动产生微射流，剥离亚微米级颗粒（<0.1μm），解决SiC表面凹槽、划痕等易藏污区域的清洁难题。 部分高端设备还采用兆声波（MHz级超声）技术，进一步提升清洗效果。 流体冲刷与旋转干燥： 结合高流量喷淋（>2L/min）与离心旋转（300~600rpm），覆盖300mm晶圆全域，确保边缘无残留。 采用温水慢提拉+IR干燥组合方式，确保晶圆干燥完全，避免水渍残留。 环保与安全设计： 封闭式酸液循环系统，配备三级过滤（0.1μm滤芯）与废液中和模块（如HF中和为氟盐），确保排放达标。 设备结构紧凑，外形采用特殊设计，提高防腐性能，延长使用寿命。