一、核心清洗流程 上料：通过自动化传输系统（如机械臂或传送带）将待清洗的硅片、芯片或蓝宝石基板装入清洗篮，支持单片或多片批量处理（如25片/批）。 超声波清洗：利用兆声波（MHz级）的空化效应，配合化学清洗液（如SC-1/SC-2溶液）去除微米级颗粒（≤10nm）和有机物、金属杂质（如Fe、Cu、Al）。超声频率通常为40kHz，功率密度5-20W/cm²，确保清洗均匀性。 漂洗：采用多级纯水漂洗，通过溢流技术快速排走漂浮物，避免颗粒和化学反应生成物二次附着，残留化学液浓度≤10 atoms/cm²。 风切烘干：通过高速离心（≤2000rpm）或热风干燥（80-120℃）去除表面水分，确保无水痕残留，避免氧化或水渍污染。 下料：清洗完成后，机械臂将清洗篮自动送出，完成全流程无人化操作。 二、关键性能参数 化学工艺兼容性： SC-1溶液（碱性清洗）：NH₄OH:H₂O₂:H₂O = 1:1:5，温度80-90℃，用于去除有机物及金属杂质。 SC-2溶液（酸性清洗）：HCl:H₂O₂:H₂O = 1:1:6，温度60-80℃，用于去除化层及金属污染。 化学浓度误差≤±5%，适配不同污染类型（如光刻胶、蚀刻残留）。 温度与流速控制： 控温精度±0.1℃（PID温控系统），确保反应稳定性。 喷淋压力0.1-0.5MPa（可调），覆盖误差≤±5%，防止局部腐蚀或残留。 颗粒控制： 在线颗粒计数仪（激光散射法）检测>0.1μm颗粒，配合UF/MF过滤系统（过滤精度≤0.1μm），防止二次污染。 颗粒去除率≥99.9%（如≤10个/平方厘米），满足半导体制造纳米级洁净度要求。 材质与耐腐蚀性： 槽体采用PTFE、石英或PFA材质，耐受酸碱腐蚀，避免金属离子析出。 密封性：氟橡胶或耐腐蚀密封圈，防止泄漏。